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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：本发明的实施例通过将TSV着陆在FEOL工艺期间形成的金属连接结构上，解决了在不损坏BEOL金属互连结构的情况下将TSV连接到BEOL金属互连结构的问题。金属连接结构是根据适用于FEOL加工的设计规则生产的。金属连接结构可以包括具有晶体管级金属互连件中的布线的成分和形状的子结构以及具有金属栅极带的成分和形成的子结构。金属连接结构可以包括排列在TSV着陆区域上的多个子结构。构成金属连接结构的子结构通过通孔连接到BEOL金属互连件。本发明的实施例提供了一种集成电路器件及其制造方法。
主权项：1.一种集成电路器件，包括：衬底，具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧；衬底贯通孔；金属互连结构，位于所述第一侧上，其中，所述金属互连结构包括布置在多个金属化层中的布线；金属连接结构，位于所述第一侧上；以及通孔，将所述金属连接结构连接至所述金属互连结构；其中，所述衬底贯通孔从所述第二侧延伸以与所述金属连接结构相接；并且所述金属连接结构包括具有第一金属成分的第一子结构，所述第一金属成分不同于所述金属互连结构的布线的成分。
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百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 集成电路器件及其制造方法
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