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申请/专利权人：齐鲁工业大学(山东省科学院)
摘要：本发明公开了一种弱连接结构牺牲层氮化镓缓冲衬底及其制备方法和应用，弱连接结构牺牲层氮化镓缓冲衬底的制备方法为：选择籽晶、石英件和石墨件，装配制备GaN的HVPE生长炉；设置GaN晶体生长的工艺参数，在籽晶生长获得GaN单晶薄层，即为预备牺牲层；改变生长压力和气体通入量，在低压下对预备牺牲层进行处理，得弱连接结构的牺牲层氮化镓衬底。本发明利用弱连接结构的牺牲层GaN缓冲衬底，在后续HVPE法生长GaN单晶的过程中，弱连接结构的牺牲层降低了GaN晶体内的位错密度和残余应力，并且借助于空位辅助分离原理实现了生长GaN晶体的自剥离，操作简便，节省时间和经济成本，避免引入杂质影响晶体后续生长，适合于大规模生产应用。
主权项：1.一种弱连接结构牺牲层氮化镓缓冲衬底，其特征在于，通过以下方法制备：（1）选择籽晶、石英件和石墨件，装配制备GaN的HVPE生长炉；（2）设置GaN晶体生长的工艺参数，在籽晶生长获得GaN单晶薄层，即为预备牺牲层；（3）改变步骤（2）中的生长压力和气体通入量，在低压下对预备牺牲层进行处理，得弱连接结构的牺牲层氮化镓衬底。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 齐鲁工业大学(山东省科学院) 一种弱连接结构牺牲层氮化镓缓冲衬底及其制备方法和应用
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