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申请/专利权人：京东方华灿光电(浙江)有限公司
摘要：本公开提供了一种发光二极管芯片的制备方法及发光二极管芯片，属于半导体技术领域。发光二极管芯片的制备方法，包括：生长外延层；在外延层的一侧制备光刻胶层，光刻胶层具有光刻透孔；基于光刻胶层，制备银镜层，使得银镜层位于光刻透孔内；烘烤光刻胶层，使得光刻透孔的孔径增大；基于光刻胶层，制备银镜保护层，使得银镜保护层覆盖在银镜层外。本公开可以有效的提高制备效率。
主权项：1.一种发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，包括：生长外延层10；在所述外延层10的一侧制备光刻胶层20，所述光刻胶层20具有光刻透孔210；基于所述光刻胶层20，制备银镜层30，使得所述银镜层30位于所述光刻透孔210内；烘烤所述光刻胶层20，使得所述光刻透孔210的孔径增大；基于所述光刻胶层20，制备银镜保护层40，使得所述银镜保护层40覆盖在所述银镜层30外。
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权利要求：
百度查询： 京东方华灿光电(浙江)有限公司 发光二极管芯片的制备方法及发光二极管芯片
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