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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司

摘要：本发明公开了一种后段金属截断工艺方法，包括：步骤一、形成第一图形层。步骤二、旋涂第一SOC层。步骤三、形成第二和第三硬质掩膜层。步骤四、对第三硬质掩膜层进行图形化以形成位于金属截断区中的第一孔洞。步骤五、形成第二填充层将第一孔洞完全填充。步骤六、将第三硬质掩膜层自对准去除。步骤七、进行刻蚀将柱状图形转移到第二硬质掩膜层中。步骤八、进行刻蚀将柱状图形转移到第一SOC层中，第一SOC层的柱状图形底部区域将沟槽图形完全填充并形成金属截断图形。步骤九、进行刻蚀将沟槽图形和金属截断图形转移到第一硬质掩膜层中。步骤十、进行刻蚀将图形转移到层间膜中。本发明所能实现沟槽图形和金属截断图形分开精确定义并降低对光刻机的要求。

主权项：1.一种后段金属截断工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在层间膜上形成第一硬质掩膜层，在所述第一硬质掩膜层表面上形成第一图形层，所述第一图形层形成有沟槽图形，所述沟槽图形之间具有第一间隔图形，所述沟槽图形和所述第一间隔图形周期排列；步骤二、旋涂第一SOC层，所述第一SOC层将各所述沟槽图形完全填充，所述第一SOC层的顶部表面平坦且位于所述第一间隔图形的顶部表面之上；步骤三、在所述第一SOC层的顶部表面依次形成第二硬质掩膜层和第三硬质掩膜层；步骤四、对所述第三硬质掩膜层进行图形化以形成位于金属截断区中的第一孔洞；步骤五、形成第二填充层将所述第一孔洞完全填充，所述第二填充层的顶部表面和所述第三硬质掩膜层的顶部表面相平；步骤六、将所述第三硬质掩膜层自对准去除，保留的所述第二填充层都位于所述第一孔洞中并呈柱状图形；步骤七、对所述第二硬质掩膜层进行刻蚀将所述第二填充层的柱状图形转移到所述第二硬质掩膜层中；步骤八、对所述第一SOC层进行刻蚀将所述第二硬质掩膜层的柱状图形转移到所述第一SOC层中，所述第一SOC层的柱状图形的底部区域将所述金属截断区中所述沟槽图形完全填充并形成金属截断图形；步骤九、对所述第一硬质掩膜层进行刻蚀将所述沟槽图形以及所述金属截断图形转移到所述第一硬质掩膜层中；步骤十、对所述层间膜进行刻蚀将所述沟槽图形以及所述金属截断图形转移到所述层间膜中。

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