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射频低噪声放大器 

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申请/专利权人:博瑞集信(西安)电子科技股份有限公司

摘要:本申请涉及数据处理技术领域,揭示了一种射频低噪声放大器,所述射频低噪声放大器包括:共源极放大电路、电流镜电路和自适应动态反馈电路,第二电阻R2和第一晶体管Q1组合成一个自适应稳压结构,在不同供电电压下,可以调节自身压降。当供电电压增大的过程中,第一晶体管Q1的沟道电阻的增大会弱化第三晶体管Q3栅极处节点电压的增大,同时第二晶体管Q2和第四晶体管Q4的沟道电阻也会随着第三晶体管Q3栅极处节点电压的增大而下降,这进一步保证了放大电路静态工作点的稳定。本发明的电流镜电路配合自适应反馈电路和射频稳压电路可以有效降低射频低噪声放大器芯片对供电电压变化的敏感度。

主权项:1.一种射频低噪声放大器,其特征在于,所述射频低噪声放大器包括:共源极放大电路、电流镜电路和自适应动态反馈电路;所述电流镜结构包括第一晶体管Q1、第二晶体管Q2、第三晶体管Q3和第四晶体管Q4、第一电容C1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4和第五电阻R5,其中,第一晶体管Q1的源极与第二电阻R2的一端连接,第二电阻R2的另一端与第一晶体管Q1的栅极、第三晶体管Q3的栅极和第二晶体管Q2的漏极相接,第二电阻R2的另一端与第一电容C1一端连接,第一电容C1的另一端接地,第三晶体管Q3的漏极通过第三电阻R3与第一晶体管Q1的漏极相连,第一晶体管Q1的漏极通过第一电阻R1连接到供电端Vcc上,第四晶体管Q4的漏极通过第五电阻R5与第二晶体管Q2的栅极、第三晶体管Q3的源极相连,第四晶体管Q4的栅极和漏极相连,第二晶体管Q2的源极与第四晶体管Q4的源极通过第四电阻R4相连,第四晶体管Q4的源极接地;所述自适应动态反馈电路包括第五晶体管Q5、第二电容C2、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第九电阻R9,其中,第六电阻R6的一端与第五晶体管Q5的栅极连接,第六电阻R6的另一端接地,第七电阻R7的一端与第五晶体管Q5的栅极连接,第七电阻R7的另一端与供电端Vcc连接,第五晶体管Q5的源极通过第二电容C2、第九电阻R9连接到供电端,第五晶体管Q5的漏极与第二晶体管Q2的栅极连接,第五晶体管Q5的漏极通过第八电阻R8连接到第六晶体管Q6的栅极;共源极放大结构包括第六晶体管Q6、第十电阻R10、第三电容C3,其中,第六晶体管Q6的漏极与第十电阻R10的一端连接,第十电阻R10的另一端与第三电容C3的一端连接,第三电容C3的另一端与第六晶体管Q6的栅极连接,第六晶体管Q6的漏极作为输出端Output和供电端Vcc,第六晶体管Q6的源极接地,第六晶体管Q6的栅极作为输入端Input。

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