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申请/专利权人：浙江大学
摘要：本发明公开了一种平面型场效应管及包括其的电路。自下而上依次包括硅衬底、埋氧层和有源区，以及在有源区上的本征区、绝缘槽、栅极区、源极区、漏极区和平面衬底区，绝缘槽和本征区相邻布置形成第一区域，绝缘槽宽的方向为第一方向，绝缘槽长的方向为第二方向，在第一方向上，栅极区布置于第一区域的一侧且靠近绝缘槽，所述平面衬底区布置于第一区域的另一侧且靠近本征区，在第二方向上源极区布置于第一区域的一侧，漏极区布置于第一区域的另一侧。本发明通过将场效应管的结构水平分布在有源区内，解决了微电子工艺中和硅光冲突的问题，实现了晶体管和硅光工艺的兼容。
主权项：1.一种平面型场效应管，其特征在于：自下而上依次包括硅衬底7、埋氧层11和有源区8，以及在有源区8中形成的功能区域，所述功能区域主要由本征区1、绝缘槽2、栅极区3、源极区4、漏极区5和平面衬底区6构成，所述绝缘槽2和本征区1均为条状且相邻紧贴平行布置形成第一区域；以所述绝缘槽2宽的方向为第一方向，以所述绝缘槽2长的方向为第二方向；在第一方向上，所述栅极区3布置于第一区域的一侧面且紧贴绝缘槽2，所述平面衬底区6布置于第一区域的另一侧面且紧贴本征区1，在第二方向上，所述源极区4布置于第一区域的一侧面且紧贴本征区1和绝缘槽2，所述漏极区5布置于第一区域的另一侧面且紧贴本征区1和绝缘槽2。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江大学 一种平面型场效应管及包括其的电路
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