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申请/专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
摘要：公开了半导体器件和制造半导体器件的方法。提供了一种半导体器件。半导体器件包括衬底和被形成在衬底的第一主表面处的隔离区。隔离区包括下部部分和从下部部分突出的上部部分。半导体器件进一步包括被形成在隔离区的上部部分的至少一部分上方的电荷屏蔽层。电荷屏蔽层的边缘具有以等于或者小于50度的第一角度向内倾斜的侧壁。半导体器件进一步包括被形成在电荷屏蔽层的至少一部分上方和在隔离区的下部部分的至少一部分上方的金属阻挡层。
主权项：1.一种半导体器件100，200，包括：衬底102，202；隔离区104，204，其被形成在衬底的第一主表面110，210处，其中隔离区104，204包括下部部分104_1，204_1和从下部部分104_1，204_1突出的上部部分104_2，204_2；电荷屏蔽层106，206，其被形成在隔离区104，204的上部部分104_2，204_2的至少一部分上方，其中电荷屏蔽层106，206的边缘106_1，206_1具有以等于或者小于50度的第一角度α向内倾斜的侧壁；和金属阻挡层108，208，其被形成在电荷屏蔽层106，206的至少一部分上方和隔离区104，204的下部部分104_1，204_1的至少一部分上方。
全文数据：
权利要求：
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