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申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：本发明公开了一种石墨烯与Ga2O3集成的探测器阵列及其制备方法，包括：衬底、有源层、石墨烯层、第一金属电极和第二金属电极；所述有源层通过光刻和刻蚀形成隔离，构成NxN线性阵列；在石墨烯层与有源层界面处形成石墨烯Ga2O3异质结，结区内形成内建电场；所述金属电极电流的流动方向与有源层保持平行形成横向导电。本发明采用透明电极石墨烯解决透光率低的问题；石墨烯与Ga2O3形成纵向异质结，配合横向结构设计，实现大面积透光从而提高有源层光吸收。此外，异质结区电场能够加快光生载流子分离，提高响应速度。
主权项：1.一种石墨烯与Ga2O3集成的探测器阵列及其制备方法，其特征在于，包括：衬底1、Ga2O3有源层2、石墨烯层3、第一金属电极4和第二金属电极5；所述Ga2O3有源层2布置于衬底1的一面，通过光刻和刻蚀形成隔离；所述石墨烯层3布置于Ga2O3有源层2远离衬底1的一面，与有源层2界面处形成石墨烯Ga2O3异质结，结区形成内建电场加快光生载流子的分离；所述第一金属电极4布置于Ga2O3有源层2，所述第二金属电极5布置于石墨烯层3，电流的流动方向与有源层2保持平行形成横向导电。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 一种石墨烯与Ga2O3集成的探测器阵列及其制备方法
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