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申请/专利权人：蒋富成
摘要：本发明公开一种非挥发性存储器晶胞，包含：至少一单位晶胞，每一单位晶胞皆包含有：一鳍状通道，沿一Y方向延伸；一源极及一汲极，分别在该Y方向上相邻该鳍状通道的两端；一第一部分及一第二部分，分别在一X方向上相邻该鳍状通道的两侧，该第一部分包含有一第一浮动闸及一第一控制阀，该第二部分包含有一第二浮动闸及一第二控制阀；以及一第三部分，在一Z方向上相邻该鳍状通道，该第三部分包含有一第三浮动闸及一第三控制闸。通过该第一浮动闸、该第二浮动闸及该第三浮动闸，一个单位晶胞可以储存三个位元数据，有助于提高记忆容量。
主权项：1.一种非挥发性存储器晶胞，其特征在于，包含：至少一单位晶胞，每一单位晶胞皆包含有：一鳍状通道，沿一Y方向延伸；一源极，在该Y方向上相邻该鳍状通道的一端；一汲极，在该Y方向上相邻该鳍状通道的另一端；一氧化层，包含一第一氧化层、一第二氧化层及一第三氧化层；一浮动闸，包含一第一浮动闸、一第二浮动闸及一第三浮动闸；一绝缘层，包含一第一绝缘层、一第二绝缘层及一第三绝缘层；一控制闸，包含一第一控制闸、一第二控制闸及一第三控制闸，该控制闸分别掺杂一杂质，该杂质包含磷、砷、锑、硼及铝其中之一或其组合；一第一部分，在一X方向上相邻该鳍状通道的一侧，该X方向垂直该Y方向，该第一部分依序包含有接近该鳍状通道的该第一氧化层、该第一浮动闸、该第一绝缘层，以及远离该鳍状通道的该第一控制闸；一第二部分，在该X方向上相邻该鳍状通道的另一侧，该第二部分依序包含有接近该鳍状通道的该第二氧化层、该第二浮动闸、该第二绝缘层，以及远离该鳍状通道的该第二控制闸；以及一第三部分，在一Z方向上相邻该鳍状通道，该Z方向垂直该X方向及该Y方向，该第三部分包含有接近该鳍状通道的该第三氧化层、该第三浮动闸、该第三绝缘层，以及远离该鳍状通道的该第三控制闸。
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