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一种基于纳米压印生产可见光波段四分之一波片的方法 

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申请/专利权人:中国科学技术大学

摘要:本发明属于光学波片技术领域,具体公开了一种基于纳米压印生产可见光波段四分之一波片的方法,包括以下步骤:步骤S01、在衬底层上沉积介质层;步骤S02、在介质层上沉积掩膜层;步骤S03、在掩膜层上旋涂压印胶层;步骤S04、先将压印模板覆盖在压印胶层上;步骤S05、去除压印模板;步骤S06、去除未被压印胶层覆盖的掩膜层,保留被压印胶层覆盖的掩膜层,然后去除压印胶层;步骤S07、刻蚀介质层,去除未被掩膜层覆盖的介质层,保留被掩膜层覆盖的介质层;步骤S08、去除掩膜层,制备获得光栅层;步骤S09、将多层光栅层按相同的光栅取向经堆叠固定而制成成品。本发明提供的方法能够在保证波片圆偏特性的同时,提升大规模制作时的效率及降低生产的成本。

主权项:1.一种基于纳米压印生产可见光波段四分之一波片的方法,其特征在于,所述四分之一波片是通过将多层光栅层按相同的光栅取向经堆叠固定而制成,其生产方法具体包括以下步骤:步骤S01、在衬底层上利用化学气相沉积技术沉积介质层;步骤S02、在介质层上利用等离子体化学气相沉积法沉积掩膜层;步骤S03、在掩膜层上旋涂压印胶层;步骤S04、先将压印模板覆盖在压印胶层上,将压印模板的光栅图形转移到压印胶层上;步骤S05、去除压印模板;步骤S06、先利用氧气灰化处理和湿法腐蚀液去除未被压印胶层覆盖的掩膜层,保留被压印胶层覆盖的掩膜层,然后去除压印胶层;步骤S07、利用反应等离子刻蚀法刻蚀介质层,去除未被掩膜层覆盖的介质层,保留被掩膜层覆盖的介质层;步骤S08、利用等离子体灰化处理法去除掩膜层,制备获得光栅层;步骤S09、将多层光栅层按相同的光栅取向经堆叠固定制成所述四分之一波片。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中国科学技术大学 一种基于纳米压印生产可见光波段四分之一波片的方法

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