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申请/专利权人：精材科技股份有限公司
摘要：一种晶片结构及其制造方法，该晶片结构包括第一基板、第二基板、导电通道与重布线层。第一基板具有第一倾斜侧壁。第二基板位于第一基板的下表面上，且具有上部与下部。下部凸出上部。上部位于第一基板与下部之间。上部具有第二倾斜侧壁，且第一倾斜侧壁与第二倾斜侧壁的斜率大致相同。导电通道位于下部中。重布线层从第一基板的上表面依序沿第一倾斜侧壁与第二倾斜侧壁延伸至第二基板的下部的上表面，且电性连接导电通道。本发明的晶片结构深宽比可有效降低。此外，由于重布线层是在第一倾斜侧壁与第二倾斜侧壁上延伸，因此第一基板的厚度与第二基板的厚度不影响深宽比，对于设计上来说有所助益。
主权项：1.一种晶片结构，其特征在于，包括：第一基板，具有第一倾斜侧壁；第二基板，位于该第一基板的一下表面上，且具有上部与下部，其中该下部凸出该上部，该上部位于该第一基板与该下部之间，该上部具有第二倾斜侧壁，且该第一倾斜侧壁与该第二倾斜侧壁的斜率大致相同；导电通道，位于该下部中，该导电通道垂直贯穿该第二基板且为实心的导电体；焊垫部，位于该第二基板的下表面上；以及重布线层，从该第一基板的上表面依序沿该第一倾斜侧壁与该第二倾斜侧壁延伸至该第二基板的该下部的上表面，且该导电体的上表面与下表面分别电性连接在该第二基板的该上表面上的该重布线层及在该第二基板的该下表面上的该焊垫部。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 精材科技股份有限公司 晶片结构及其制造方法
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