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申请/专利权人：江西赣锋锂电科技股份有限公司
摘要：本发明提供了一种功率MOS，其特征在于，包括：MOS内封装有N个并联设置的支路；所述N个支路的每一个都设置有一个晶圆和一个键合线，所述键合线包括主体部和熔断处，其中所述N≥2；当外部电路控制所述MOS内的所述N个支路的晶圆从导通状态改变为断开状态时，若所述N个支路中的第一支路因晶圆失效而不能正常断开时，剩余支路的电流集中流向所述第一支路，所述第一支路的电流瞬间增大使得所述熔断处发生熔断而使所述第一支路与外部电路断开。本发明的功率MOS可以提高功率MOS管的安全性能，可以避免发生因MOS失效而引起的明火的问题发生。
主权项：1.一种功率MOS，其特征在于，包括：MOS内封装有N个并联设置的支路；所述N个支路的每一个都设置有一个晶圆和一个键合线，所述键合线包括主体部和熔断处，其中所述N≥2；当外部电路控制所述MOS内的所述N个支路的MOS本体导通状态改变为断开状态时，若所述N个支路中的第一支路因晶圆失效而不能正常断开时，剩余支路的电流集中流向所述第一支路，所述第一支路的电流瞬间增大使得所述熔断处发生熔断而使所述第一支路与外部电路断开。
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百度查询： 江西赣锋锂电科技股份有限公司 一种功率MOS
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