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申请/专利权人：电子科技大学长三角研究院(衢州)
摘要：本发明涉及透明导电薄膜器件领域，提供了一种铂掺杂氧化锡透明导电薄膜、制备方法及应用，旨在解决现有技术中导电性和透明性之间的权衡问题、电子迁移率低导致的效率下降，以及薄膜材料的化学稳定性不足和界面不匹配导致的能量损失。主要方案包括，其中器件包括衬底、SnO2：Mg薄膜透明导电氧化物层、Pt：SnO2薄膜电子传输层、光敏层、缓冲层及CNT背电极。制备方法涉及SnO2：Mg薄膜透明导电氧化物层的制备、电子传输层的制备、钙钛矿光吸收层的制备、空穴传输层的制备、背电极的制备以及器件的集成与封装。铂掺杂氧化锡透明导电薄膜，由铂和氧化锡组成，铂以原子掺杂形式均匀分布在氧化锡晶格中，掺杂浓度1‑3at.％。
主权项：1.一种铂掺杂氧化锡透明导电薄膜，其特征在于，所述薄膜由铂和氧化锡组成，铂以原子掺杂的形式均匀分布在氧化锡晶格中，铂的掺杂浓度范围为1-3at.％。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 电子科技大学长三角研究院(衢州) 一种铂掺杂氧化锡透明导电薄膜、制备方法及应用
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