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申请/专利权人：上海大学
摘要：本发明涉及防伪和辐射成像材料领域，具体为Te和Sb分别掺杂Rb2ZrCl6微米晶以及复合膜的制备工艺和应用。Te掺杂Rb2ZrCl6微米晶的制备工艺能制备出Te掺杂Rb2ZrCl6微米晶，Sb掺杂Rb2ZrCl6微米晶的制备工艺能制备出Sb掺杂Rb2ZrCl6微米晶。复合膜的制备工艺中，将胶料、固化剂和根据上述TeSb掺杂Rb2ZrCl6微米晶的制备工艺制备的TeSb掺杂Rb2ZrCl6微米晶混合均匀，采用丝网印刷的方法制备TeSb掺杂Rb2ZrCl6复合膜。本发明分别采用水热法和水相法成功合成了大小均匀的Te掺杂Rb2ZrCl6和Sb掺杂Rb2ZrCl6微米晶，具有优异的光学性能和成像应用，不对人体健康构成威胁，稳定性好。
主权项：1.Te掺杂Rb2ZrCl6微米晶的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1、按照2：x：1-x的摩尔比分别称取2mmol的RbCl、1-xmmol的ZrCl4和xmmol的TeCl4，其中，0＜x＜1；S2、将RbCl、ZrCl4和TeCl4溶解于5～6ml38％浓度盐酸中，并置于特氟隆高压反应釜中；S3、将S2中的特氟隆高压反应釜放入电热恒温鼓风干燥箱中，并在160～200℃下加热10～12h，逐渐冷却至室温，冷却过程持续6～12h，得到晶体；S4、将得到的晶体转移到烧杯中，用甲醇洗涤晶体，重复该过程若干次，最后，将其置于烘箱中并在40～100℃下干燥2～8h，获得Te掺杂Rb2ZrCl6微米晶。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海大学 Te和Sb分别掺杂Rb2ZrCl6微米晶以及复合膜的制备工艺和应用
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