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一种含氰基配位过渡金属阴离子插层类水滑石的制备方法及其应用 

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申请/专利权人:中国科学院青海盐湖研究所

摘要:一种含氰基配位过渡金属阴离子插层类水滑石的制备方法,包括以下步骤:一:分别称取一定物质的量为nM和nA的二价金属氯化物和三价铝源,其中二价金属元素与三价铝元素总物质的量之比为nM:nA=1.0~4.0,加水配制成三价铝离子浓度为0~0.8molL的混合溶液A;二:按三价铝元素的物质的量的1~6倍称取氰基配位过渡金属阴离子酸根的盐n0A,称取一定量的碱,使其物质的量为2nM+nA*1±0.1,并用水配置成溶液B,溶液B中有效氢氧根离子的浓度为0.1~4.0molL;三:在氮气保护条件下将溶液A和溶液B充分混合;继续搅拌0.5~3h,转入陈化容器,在20~200℃温度下陈化3~72h,过滤并加水洗涤至滤液中性,再用水洗涤固体,洗去可溶性杂质,得到滤饼;四:将滤饼在真空或氮气气氛中干燥至恒重。

主权项:1.一种含氰基配位过渡金属阴离子插层类水滑石的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一:分别称取一定物质的量为nM和nA的二价金属氯化物和三价铝源,其中二价金属元素与三价铝元素总物质的量之比为nM:nA=1.0~4.0,加水配制成三价铝离子浓度为0~0.8molL的混合溶液A;步骤二:按三价铝元素的物质的量的1~6倍称取氰基配位过渡金属阴离子酸根的盐n0A,称取一定量的碱,使其物质的量为2nM+nA*1±0.1,并用水配置成溶液B,溶液B中有效氢氧根离子的浓度为0.1~4.0molL;步骤三:在氮气保护条件下将溶液A和溶液B充分混合;继续搅拌0.5~3h,转入陈化容器,在20~200℃温度下陈化3~72h,过滤并加水洗涤至滤液中性,再用水洗涤固体,洗去可溶性杂质,得到滤饼;步骤四:将滤饼在真空或氮气气氛中干燥至恒重。

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