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一种钛酸锶薄膜滤波器的磁控溅射制备方法 

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申请/专利权人:北京航空航天大学

摘要:本发明属于半导体器件技术领域,具体涉及一种钛酸锶薄膜滤波器的磁控溅射制备方法,包括在单晶Si基底通过旋涂工艺覆盖一层光刻胶作为牺牲层;随后通过磁控溅射设备,利用掩膜溅射方法与低温瞬态退火工艺,循环溅射第一电介质层、防击穿层、第二电介质层和导电层,得到多层膜结构;随后通过掩膜溅射方法在得到的多层膜结构上溅射电极;通过lift‑off工艺将得到的带有电极的多层膜结构与单晶Si基底分离,得到滤波器功能结构;最后进行叠加并封装,得到基于钛酸锶薄膜的滤波器,本发明方法得到的滤波器,在高频范围内具有优异的特性、体积小、重量轻、具有良好的温度稳定性,有效保证了集成电路的稳定性和可靠性。

主权项:1.一种钛酸锶薄膜滤波器的磁控溅射制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤(1):在单晶Si基底通过旋涂工艺覆盖一层光刻胶作为牺牲层;步骤(2):利用磁控溅射设备,采用掩膜溅射方法与低温瞬态退火工艺,循环溅射第一电介质层、防击穿层、第二电介质层和导电层,得到多层膜结构;步骤(3):通过掩膜溅射方法在步骤(2)得到的多层膜结构上溅射电极;步骤(4):通过lift-off工艺将步骤(3)得到的带有电极的多层膜结构与单晶Si基底分离,得到滤波器功能结构;步骤(5):对多组步骤(4)得到的功能结构进行叠加并封装,得到基于钛酸锶薄膜的滤波器。

全文数据:

权利要求:

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