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申请/专利权人：深圳市槟城电子股份有限公司
摘要：本发明公开了一种保护电路及电路保护装置。一种保护电路包括：控制单元、欠压保护单元、过压保护单元和过流保护单元；控制单元为第一MOS管，第一MOS管的源极连接电流输入端，第一MOS管的漏极连接被保护的用电负载，用于控制用电负载的接通与关断；欠压保护单元由第一电阻与第一稳压二极管串联后连接至第一MOS管的栅极构成；过压保护单元由第二电阻与第二稳压二极管串联后连接至三极管的基极构成；过流保护单元由第二MOS管、第四电阻和可控硅组成。解决保险丝功能单一、响应慢、响应不精确和不可恢复的问题，实现过压、欠压、过流过温及短路保护功能，提高响应速度和精确度的效果。
主权项：1.一种保护电路，其特征在于，包括：控制单元、欠压保护单元、过压保护单元和过流保护单元；所述控制单元为第一MOS管，所述第一MOS管的源极连接电流输入端，所述第一MOS管的漏极连接被保护的用电负载，用于控制用电负载的接通与关断；所述欠压保护单元由第一电阻与第一稳压二极管串联后连接至所述第一MOS管的栅极构成，用于在保护电路电压低于所述第一MOS管的阈值电压和所述第一稳压二极管的击穿电压之和时，断开所述第一MOS管保护所述用电负载；所述过压保护单元由第二电阻与第二稳压二极管串联后连接至三极管的基极构成，用于在保护电路电压大于第二稳压二极管与三极管的饱和电压之和时，断开所述第一MOS管保护所述用电负载；所述过流保护单元由第二MOS管、第四电阻和可控硅组成，用于在所述第四电阻的电压大于所述第二MOS管的阈值电压时，所述第二MOS管的源极和栅极接通，触发所述可控硅导通，从而短路所述第一MOS管保护所述用电负载。
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权利要求：
百度查询： 深圳市槟城电子股份有限公司 一种保护电路及电路保护装置
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