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申请/专利权人：杭州积海半导体有限公司
摘要：本发明提供一种PMOS器件及其制备方法，PMOS器件包括位于衬底上的栅极结构，位于所述栅极结构两侧衬底中的源极和漏极，所述栅极结构由下至上依次包括界面氧化物层、栅氧绝缘层、功函数层和硅材料层，所述栅氧绝缘层中掺杂有金属离子，以在所述界面氧化物层和栅氧绝缘层形成界面偶极子，可以通过界面偶极子的极性和大小来有效调节功函数，以获得较低的阈值电压。
主权项：1.一种PMOS器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底上依次形成界面氧化物层、栅氧绝缘层和无机材料层，其中，所述无机材料层包括第一无机材料层，且所述第一无机材料层为氮化钛层；在所述无机材料层中注入金属离子并经过退火工艺，以在所述界面氧化物层和栅氧绝缘层形成界面偶极子，并去除所述无机材料层；在第一无机材料层上依次形成有机材料层和图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层具有开口，以所述图形化的光刻胶层为掩模，在所述开口处刻蚀所述有机材料层，以暴露出所述第一无机材料层；在所述开口处，对所述第一无机材料层进行金属离子注入，并去除所述有机材料层和光刻胶层；在所述第一无机材料层上形成第二无机材料层，其中，所述第二无机材料层为非晶硅层；执行退火工艺，以在所述界面氧化物层和栅氧绝缘层形成界面偶极子；依次去除所述第二无机材料层和第一无机材料层，以暴露出所述栅氧绝缘层；在所述栅氧绝缘层上依次形成功函数层和硅材料层；依次刻蚀硅材料层、功函数层、栅氧绝缘层和界面氧化物层，以形成栅极结构，并在所述栅极结构两侧的衬底中形成源极和漏极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州积海半导体有限公司 一种PMOS器件及其制备方法
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