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申请/专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日：2024-01-09
公开（公告）日：2024-09-10
公开（公告）号：CN118630068A
专利技术分类：....肖特基二极管[2006.01]
专利摘要：本发明的实施方式涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置具备：第一电极；第二电极；碳化硅层，设置在第一电极与第二电极之间，包含n型的第一碳化硅区域；氮化钛层，设置在第一电极与第一碳化硅区域之间；以及中间层，设置在氮化钛层与第一碳化硅区域之间，包含氮化硅。
专利权项：1.一种半导体装置，其中，具备：第一电极；第二电极；碳化硅层，设置在所述第一电极与所述第二电极之间，包含n型的第一碳化硅区域；氮化钛层，设置在所述第一电极与所述第一碳化硅区域之间；以及中间层，设置在所述氮化钛层与所述第一碳化硅区域之间，包含氮化硅。
百度查询： 株式会社东芝 东芝电子元件及存储装置株式会社 半导体装置及半导体装置的制造方法
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