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申请/专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
摘要：本公开涉及具有减小的输入电容的多沟道高电子迁移率晶体管。高电子迁移率晶体管包括：半导体主体，包括堆叠在彼此的顶部上的多个III型氮化物半导体层，由此形成多个二维第一电荷类型气体沟道和至少一个二维第二电荷类型气体沟道，所述二维第二电荷类型气体沟道沿垂直方向位于两个二维第一电荷类型气体沟道之间；源电极和漏电极，沿侧向彼此分隔开，并且与所述多个二维第一电荷类型气体沟道处于欧姆接触；栅极结构，被配置为通过控制所述多个二维第一电荷类型气体沟道的导电状态来控制所述源电极和漏电极之间的导电连接；和电荷耗散结构，被配置为在所述高电子迁移率晶体管的断开状态期间从所述二维第二电荷类型气体沟道去除第二电荷类型载流子。
主权项：1.一种高电子迁移率晶体管，包括：半导体主体，包括堆叠在彼此的顶部上的多个III型氮化物半导体层，由此形成多个二维第一电荷类型气体沟道和至少一个二维第二电荷类型气体沟道，所述二维第二电荷类型气体沟道沿垂直方向位于两个二维第一电荷类型气体沟道之间，源电极和漏电极，沿侧向彼此分隔开，并且与所述多个二维第一电荷类型气体沟道处于欧姆接触；栅极结构，被配置为通过控制所述多个二维第一电荷类型气体沟道的导电状态来控制所述源电极和漏电极之间的导电连接；和电荷耗散结构，被配置为在所述高电子迁移率晶体管的断开状态期间从所述至少一个二维第二电荷类型气体沟道去除第二电荷类型载流子。
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权利要求：
百度查询： 英飞凌科技奥地利有限公司 具有减小的输入电容的多沟道高电子迁移率晶体管
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