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申请/专利权人：恒泰柯半导体(上海)有限公司
摘要：本发明实施例公开了深沟道MOSFET及制造方法，所述深沟道MOSFET包括：衬底、形成于衬底上的外延层、在所述外延层上形成的深沟槽、在深沟槽内的源极多晶硅和栅极多晶硅，所述源极多晶硅和栅极多晶硅之间通过深沟槽内的栅极氧化层隔离，栅极多晶硅在沿着深沟方向与和栅极氧化层接触的部分形成平滑过渡的栅极氧化层弧边。本发明实施例中的深沟道MOSFET，大大改善了现有技术存在的漏电问题，得以实现高密度高性能的功率MOSFET。
主权项：1.一种深沟道MOSFET制造方法，其特征在于，包括步骤：提供衬底以及在所述衬底上形成相同导电类型的外延层；在所述外延层中形成深沟槽；在所述深沟槽表面沉积形成覆盖深沟槽的深沟槽氧化层；在所述深沟槽氧化层上填充多晶硅；刻蚀去除掉部分多晶硅，生成源极多晶硅；刻蚀去除部分深沟槽氧化层；刻蚀去除位于源极多晶硅上部的深沟槽氧化层，使得深沟槽氧化层靠近源极多晶硅侧的顶面低于源极多晶硅的顶面；在刻蚀后的深沟空间上形成深沟道氧化层；深沟道氧化层覆盖深沟槽氧化层的内侧表面、源极多晶硅的表面以及外延层上方表面；去除部分深沟道氧化层，暴露源极多晶硅的上表面，源极多晶硅的顶面低于沟槽侧壁氧化层的顶面；进行热氧氧化，形成覆盖深沟空间内部表面、源极多晶硅上表面以及外延层上方表面的栅极氧化层；在热氧氧化之后的栅极深沟空间内注入多晶硅，形成栅极多晶硅；栅极多晶硅在沿着深沟方向与和栅极氧化层接触的部分形成平滑过渡的栅极氧化层弧边。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 恒泰柯半导体(上海)有限公司 深沟道MOSFET
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