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申请/专利权人：上海金脉电子科技有限公司
摘要：本发明公开一种MOSFET温度检测电路及方法。该电路包括：沟道电流导通模块、沟道电压检测模块、MOSFET栅极驱动模块、MOSFET导通源漏电压检测模块及控制模块；MOSFET栅极驱动模块与MOSFET电连接，用于输出控制信号以驱动MOSFET导通；沟道电流导通模块与MOSFET电连接，用于当MOSFET导通时检测漏电流；沟道电压检测模块与沟道电流导通模块并联电连接，用于检测沟道电流导通模块两端的电压；MOSFET导通源漏电压检测模块与MOSFET电连接，用于检测MOSFET导通时两端的电压；控制模块检测并根据MOSFET导通时两端的电压、沟道电流导通模块两端的电压及沟道电流导通模块的参数确定MOSFET的导通电阻；并根据导通电阻及参考模型确定比例参数，根据导通电阻及比例参数确定MOSFET温度。本案实现了准确获取实际的MOSFET温度。
主权项：1.一种MOSFET温度检测电路，其特征在于，包括：沟道电流导通模块、沟道电压检测模块、MOSFET栅极驱动模块、MOSFET导通源漏电压检测模块及控制模块；所述MOSFET栅极驱动模块与待检测MOSFET电连接，用于输出控制信号以驱动所述待检测MOSFET导通；所述沟道电流导通模块与所述待检测MOSFET电连接，用于当所述待检测MOSFET导通时导通沟道电流；所述沟道电压检测模块与所述沟道电流导通模块并联电连接，用于当所述沟道电流导通模块导通沟道电流时，检测所述沟道电流导通模块两端的电压；所述MOSFET导通源漏电压检测模块与所述待检测MOSFET电连接，用于检测所述待检测MOSFET导通时两端的电压；所述控制模块，用于检测并根据所述待检测MOSFET导通时两端的电压、所述沟道电流导通模块两端的电压及所述沟道电流导通模块的参数确定所述待检测MOSFET的导通电阻；并根据所述导通电阻及参考模型确定比例参数，根据所述导通电阻及所述比例参数确定待检测MOSFET温度。
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百度查询： 上海金脉电子科技有限公司 一种MOSFET温度检测电路及方法
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