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申请/专利权人：深圳市迪浦电子有限公司
摘要：本发明涉及一种提高雪崩击穿能量的功率MOSFET芯片，所述功率MOSFET芯片包括条形元胞结构，所述功率MOSFET芯片包括过渡区、N+注入区、源极引线孔，包括：所述源极引线孔延伸出N+注入区，其中，所述过渡区为在有源区直线边缘的过渡区，避免了MOSFET关断瞬间有源区边缘元胞的寄生NPN的提前导通，提升了产品的EAS能量及一致性，对有源区边缘引线孔与N+注入区的延伸，用来收集P‑区的横向电流IR1，避免了因光刻对偏导致有源区边缘NPN提早击穿的问题，以获得更高、更稳定的产品EAS特性，同时能提高并联应用的抗短路能力，提高系统可靠性，因为产品一致性的提升，省去了EAS分档动作，节约了测试及管理成本。
主权项：1.一种提高雪崩击穿能量的功率MOSFET芯片，其特征在于，所述功率MOSFET芯片包括条形元胞结构，所述功率MOSFET芯片包括过渡区、N+注入区、源极引线孔，包括：所述源极引线孔延伸出N+注入区，其中，所述过渡区为在有源区直线边缘的过渡区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市迪浦电子有限公司 一种提高雪崩击穿能量的功率MOSFET芯片
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