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申请/专利权人：湖南大学
摘要：本发明公开了一种基于推挽式电路的SiC‑MOSFET串扰振荡抑制电路及方法，抑制电路包括：推挽式电路、状态开关管、电容和电感；推挽式电路包括开关管和，其中的源极经过点连接于隔离供电模块的负压输出端，的栅极和的栅极均经过点连接于，的源极经过点连接于0V网络，的漏极和的漏极均经过点连接于状态开关管的栅极；的源极连接于点，的漏极连接于的栅极；电容的两极分别连接于0V网络和点，电感的两端分别连接于点和点；本发明不影响器件开关速度、无需额外控制信号的前提下，有效抑制了串扰振荡。
主权项：1.一种基于推挽式电路的SiC-MOSFET串扰振荡抑制电路，用于SiC-MOSFET的驱动电路，其中，包括SiC-MOSFET和SiC-MOSFET，的栅源极之间设置有栅源间电容，驱动电路包括隔离供电模块和驱动芯片，隔离供电模块和驱动芯片相连，驱动芯片与SiC-MOSFET相连，驱动芯片的导通输出端和关断输出端分别对应经过导通电阻和关断电阻连接于驱动芯片的总输出端，驱动电路寄生电感的两端分别连接于和的栅极，其特征在于，包括：推挽式电路、状态开关管、电容和电感；推挽式电路包括开关管和，其中的源极经过点连接于隔离供电模块的负压输出端，的栅极和的栅极均经过点连接于，的源极经过点连接于0V网络，的漏极和的漏极均经过点连接于状态开关管的栅极； 的源极连接于点，的漏极连接于的栅极；电容的两极分别连接于0V网络和点，电感的两端分别连接于点和点。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖南大学 一种基于推挽式电路的SiC-MOSFET串扰振荡抑制电路及方法
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