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一种内置Boost升压单元的SiC MOSFET驱动电路及装置 

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申请/专利权人:中国南方电网有限责任公司

摘要:本发明公开一种内置Boost升压单元的SiCMOSFET驱动电路及装置,所述电路包括:内置Boost升压单元、电平转换电路、保护电路和SiCMOSFET;所述内置Boost升压单元的输入端与外部的驱动信号输入端相连,所述内置Boost升压单元的第一输出端、第二输出端分别与所述电平转换电路的第一输入端、第二输入端相连,所述内置Boost升压单元的第三输出端与所述保护电路的第一输入端相连。采用本发明,能够有效降低系统中的开关损耗,提升电路的效率和稳定性,进而达到对系统的高效能耗管理和散热控制。

主权项:1.一种内置Boost升压单元的SiCMOSFET驱动电路,其特征在于,包括:内置Boost升压单元、电平转换电路、保护电路和SiCMOSFET;所述内置Boost升压单元的输入端与外部的驱动信号输入端相连,所述内置Boost升压单元的第一输出端、第二输出端分别与所述电平转换电路的第一输入端、第二输入端相连,所述内置Boost升压单元的第三输出端与所述保护电路的第一输入端相连;所述电平转换电路的输出端与所述保护电路的第二输入端相连;所述保护电路的第一输出端、第二输出端分别与所述SiCMOSFET的源极、栅极相连。

全文数据:

权利要求:

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