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申请/专利权人:铨力微电子(无锡)有限公司
摘要:本发明公开了一种基于SiC的宽温区数字逻辑门系统,涉及领域;包括以4H‑SICN+为substrate;以4H‑SiCN‑为driftlayer的PMOS晶体管和NMOS晶体管。所述基于SiC的宽温区数字逻辑门系统中,当SiC的宽温区数字逻辑门为CMOS反相器时,CMOS反相器开关阈值VM为0.05V;随着电源电压的增加,过渡区域扩大,而在VM点的增益从20减少到9,开关阈值VM为0.05V。本发明针对性设计了每一步的温度、时间、气氛等条件,并模拟这些步骤对器件最终结构和性能的影响,这种模拟可以帮助工程师优化工艺参数,减少实验室里的试错成本,并加速器件的开发周期。
主权项:1.一种基于SiC的宽温区数字逻辑门系统,其特征在于,包括以4H-SICN+为substrate;以4H-SiCN-为driftlayer的PMOS晶体管和NMOS晶体管。
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权利要求:
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