龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
摘要：本公开总体上涉及偏置半导体衬底中的隔离区。在示例中，集成电路包括半导体衬底（112）、第一整流器件（212）和第二整流器件（214）。半导体衬底（112）具有第一区（128、242）、第二区（126、244）和第三区（144，ISO），每个区都是与半导体衬底（112）相反的导电类型。第一区（128、242）和第二区（126、244）是晶体管的相应电流端子。第一整流器件（212）具有第一正端子（222）和第一负端子（224）。第一正端子（222）耦合到第一区（128、242），并且第一负端子（224）耦合到第三区（144，ISO）。第二整流器件（214）具有第二正端子（226）和第二负端子（228）。第二正端子（226）耦合到接地端子，并且第二负端子（228）耦合到第三区（144，ISO）。
主权项：1.一种集成电路，其包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有第一区、第二区和第三区，每个区是与所述半导体衬底相反的导电类型，所述第一区和所述第二区是晶体管的相应电流端子；第一整流器件，其具有第一正端子和第一负端子，所述第一正端子耦合到所述第一区，所述第一负端子耦合到所述第三区；以及第二整流器件，其具有第二正端子和第二负端子，所述第二正端子耦合到接地端子，并且所述第二负端子耦合到所述第三区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 德克萨斯仪器股份有限公司 偏置半导体衬底中的隔离区
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号