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申请/专利权人:株式会社日本显示器
摘要:半导体装置的制造方法中,在绝缘表面上形成以铝为主成分的氧化金属层,对氧化金属层的表面实施平坦化处理,在进行了平坦化处理的表面之上形成氧化物半导体层,在氧化物半导体层之上形成栅极绝缘层,在栅极绝缘层之上形成与氧化物半导体层对置的栅电极。
主权项:1.半导体装置的制造方法,其中,在绝缘表面上形成以铝为主成分的氧化金属层,对所述氧化金属层的表面实施平坦化处理,在进行了所述平坦化处理的表面之上形成氧化物半导体层,在所述氧化物半导体层之上形成栅极绝缘层,在所述栅极绝缘层之上形成与所述氧化物半导体层对置的栅电极。
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权利要求:
百度查询: 株式会社日本显示器 半导体装置及半导体装置的制造方法
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