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申请/专利权人:长鑫存储技术有限公司
摘要:本申请涉及一种半导体结构及半导体芯片,其中,半导体结构包括基底;芯片结构,位于产品区的基底上;测试电路结构,位于切割道区的基底上;第一测试转接层,位于测试电路结构上,由切割道区延伸至产品区,且第一测试转接层电连接测试电路结构,并与芯片结构间隔设置。本申请实施例可以解决切割道区被压缩时的芯片加工问题。
主权项:1.一种半导体结构,其特征在于,具有切割道区与产品区,所述半导体结构包括:基底;芯片结构,位于所述产品区的基底上;测试电路结构,位于所述切割道区的所述基底上;第一测试转接层,位于所述测试电路结构上,由所述切割道区延伸至所述产品区,且所述第一测试转接层电连接所述测试电路结构,并与所述芯片结构间隔设置。
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百度查询: 长鑫存储技术有限公司 半导体结构及半导体芯片
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