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申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司
摘要：本公开提供了一种半导体器件的制备方法及半导体器件，其中制备方法包括提供一半导体结构件，包括依次层叠的基板、器件结构层及铝垫层；于铝垫层的表面覆盖复合薄膜层；对铝垫层和复合薄膜层进行刻蚀，以形成若干露出器件结构层的通道；去除剩余的复合薄膜层中至少一部分的层结构，以获得半导体器件。本公开提供的技术方案，在铝垫层和钛氮化物膜层间设置与铝垫层具有较好兼容性并且易于去除的间隔介质层，能够根据需要完全去除铝垫层表面起到隔绝作用的钛氮化物膜层，同时保证铝垫层不受到可能的结构损伤；残留的间隔介质层可以采用不损伤铝垫层的温和方式进行去除，也可以保留作为铝垫层的钝化层起到隔绝作用，具有可推广价值。
主权项：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一半导体结构件，所述半导体结构件包括依次层叠的基板以及器件结构层，铝垫层覆盖所述基板及所述器件结构层的表面；于所述铝垫层的表面覆盖复合薄膜层；对所述铝垫层和所述复合薄膜层进行刻蚀，以形成若干露出所述器件结构层的表面的至少一部分的通道；去除剩余的所述复合薄膜层中至少一部分的层结构，以获得所述半导体器件。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海积塔半导体有限公司 半导体器件的制备方法及半导体器件
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