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半导体结构制作方法和半导体结构 

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申请/专利权人:深圳市汇芯通信技术有限公司

摘要:本申请涉及一种半导体结构制作方法和半导体结构,其中所述半导体结构制作方法包括:一、提供基板层;二、在所述基板层上涂覆光刻胶层;三、去除部分所述光刻胶层,以形成胶柱,所述胶柱侧面具有凹陷结构;四、在所述基板层靠近所述胶柱的一侧上沉积功能层,包括位于基板层上的第一功能单元和位于所述胶柱上的第二功能单元;第一功能单元和所述第二功能单元在光刻胶层的侧面分离;五、去除所述胶柱和所述第二功能单元。由于所述胶柱侧边具备凹陷结构,所以当在所述基板层靠近所述胶柱的一侧上沉积功能层时,位于基板层上的第一功能单元和位于所述胶柱上的第二功能单元因为被凹陷结构阻挡,因此不容易发生粘连。

主权项:1.一种半导体结构制作方法,其特征在于,所述半导体结构制作方法包括:提供基板层;在所述基板层上涂覆光刻胶层;去除部分所述光刻胶层,以形成胶柱,所述胶柱侧面具有凹陷结构;在所述基板层靠近所述胶柱的一侧上沉积功能层,包括位于基板层上的第一功能单元和位于所述胶柱上的第二功能单元;第一功能单元和所述第二功能单元在光刻胶层的侧面分离;去除所述胶柱和所述第二功能单元。

全文数据:

权利要求:

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