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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本发明涉及一种半导体结构及其制作方法。制作方法包括：提供半导体衬底，具有沟槽隔离层和有源区；将所述沟槽隔离层去除预设厚度以形成开口，所述开口暴露出所述有源区的上部；在暴露出的所述有源区的上部侧壁表面形成附加层；于所述开口内形成填充隔离层，所述填充隔离层填满所述开口，所述填充隔离层与保留的所述沟槽隔离层共同构成第一浅沟槽隔离结构。本发明通过在有源区的上部的侧壁形成附加层，可在不整体增加有源区的尺寸的前提下有效增大有源区顶部的宽度，从而在形成存储节点接触结构后，可以增大存储节点接触结构与有源区的接触面积，以解决因有源区的顶部的尺寸过小所导致存储节点接触结构开路或存储节点接触结构具有较高电阻的问题。
主权项：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有存储单元阵列区和周边电路区，在所述半导体衬底内形成有源区和沟槽隔离层；形成第二绝缘材料层，所述第二绝缘材料层覆盖所述沟槽隔离层表面；去除位于所述存储单元阵列区的所述第二绝缘材料层以及部分所述沟槽隔离层以形成预设深度的开口，通过所述开口暴露出所述有源区的上部；在暴露出的所述有源区的上部侧壁表面形成附加层；于所述开口内形成填充隔离层以填充所述开口，所述填充隔离层与剩余的所述沟槽隔离层共同构成第一浅沟槽隔离结构：其中，形成所述填充隔离层的步骤包括：沉积填充隔离材料层填充所述开口，且至少覆盖所述有源区的顶部，其中位于所述有源区上方的所述填充隔离材料层的厚度与去除所述存储单元阵列区的所述第二绝缘材料层后的位于所述周边电路区的所述第二绝缘材料层的厚度相同；利用化学机械研磨工艺对所述填充隔离材料层进行研磨，露出所述有源区的顶部，保留所述开口内的所述隔离材料层以作为所述填充隔离层。
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百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构及其制作方法
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