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申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司
摘要：本申请涉及一种半导体结构及其制备方法、半导体器件，方法包括：提供衬底，衬底的顶面覆盖有介质层；形成间隔排布且沿靠近衬底的方向贯穿介质层并延伸至衬底内的多个沟槽经由所述多个沟槽横向去除部分介质层，得到暴露出部分衬底顶面的多个开口；形成覆盖介质层的裸露表面、衬底的裸露顶面及多个沟槽的内表面的衬垫氧化层；在臭氧氛围下将与照射面呈预设角度的紫外光处理衬垫氧化层的裸露表面，使得位于衬底内沟槽内表面的氢悬挂键数量沿背离所述衬底的方向逐渐减少。通过表面处理来改善高深宽比浅沟槽隔离区介电质填充能力，改善电性及良率。
主权项：1.一种半导体结构制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底的顶面覆盖有介质层；形成间隔排布且沿靠近所述衬底的方向贯穿所述介质层并延伸至所述衬底内的多个沟槽；经由所述多个沟槽横向去除部分所述介质层，得到暴露出部分衬底顶面的多个开口；形成覆盖所述介质层的裸露表面、所述衬底的裸露顶面及所述多个沟槽的内表面的衬垫氧化层；在臭氧氛围下将与照射面呈预设角度的紫外光处理所述衬垫氧化层的裸露表面，使得位于所述衬底内沟槽内表面的氢悬挂键数量沿背离所述衬底的方向逐渐减小；至少于所述多个沟槽内形成顶面不低于所述介质层顶面的隔离层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海积塔半导体有限公司 半导体结构及其制备方法、半导体器件
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