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申请/专利权人：株式会社半导体能源研究所
摘要：提供一种半导体装置，该半导体装置包括第一存储单元、第一存储单元上的第二存储单元、第一导电体及第一导电体上的第二导电体，第一存储单元及第二存储单元都包括晶体管、电容器及晶体管上的第一绝缘体，晶体管包括金属氧化物、金属氧化物上的第三导电体、第四导电体、第二绝缘体、第二绝缘体上的第五导电体、金属氧化物下的第三绝缘体及第三绝缘体下的第六导电体，电容器包括第七导电体、第七导电体上的第四绝缘体及第四绝缘体上的第八导电体。通过设置在第一绝缘体中的开口，第四导电体与第七导电体接触。第一导电体及第二导电体都包括与第三导电体接触的部分。第三导电体的一个侧端部与金属氧化物的一个侧端部大致对齐，第四导电体的一个侧端部与金属氧化物的另一个侧端部大致对齐。
主权项：1.一种半导体装置，包括：第一存储单元；所述第一存储单元上的第二存储单元；第一导电体；以及所述第一导电体上的第二导电体，其中，所述第一存储单元及所述第二存储单元都包括晶体管、电容器及所述晶体管上的第一绝缘体，所述晶体管包括金属氧化物、所述金属氧化物上的第三导电体、第四导电体及第二绝缘体、所述第二绝缘体上的第五导电体、所述金属氧化物下的第三绝缘体及所述第三绝缘体下的第六导电体，所述电容器包括第七导电体、所述第七导电体上的第四绝缘体及所述第四绝缘体上的第八导电体，所述第七导电体、所述第四绝缘体及所述第八导电体的一部分位于所述第一绝缘体上，通过设置在所述第一绝缘体中的开口，所述第四导电体与所述第七导电体接触，所述第一导电体包括与所述第一存储单元所包括的所述第三导电体接触的部分，所述第一导电体的顶面包括与所述第二导电体的底面接触的部分，所述第二导电体包括与所述第二存储单元所包括的所述第三导电体接触的部分，所述第二存储单元所包括的第六导电体包含与所述第一存储单元所包括的第八导电体相同的材料，并且，在所述晶体管的截面中，所述第三导电体的一个侧端部与所述金属氧化物的一个侧端部大致对齐，所述第四导电体的一个侧端部与所述金属氧化物的另一个侧端部大致对齐。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及半导体装置的制造方法
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