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申请/专利权人：三星电子株式会社

摘要：一种半导体器件可以包括：衬底，包括第一有源区域和第二有源区域，该第一有源区域包括间隔开第一间隔的第一有源图案，该第二有源区域包括间隔开第二间隔的第二有源图案；第一源漏区和第二源漏区，在第一有源区域和第二有源区域上；第一接触结构和第二接触结构，连接到第一源漏区和第二源漏区；第一导电贯通结构和第二导电贯通结构，连接到第一接触结构和第二接触结构；电力输送结构，与第一导电贯通结构和第二导电贯通结构的底表面接触；前侧互连结构；以及后侧互连结构。第一导电贯通结构可以通过第一接触结构连接到第一源漏区。第二导电贯通结构可以通过前侧互连结构连接到第二源漏区。第二间隔可以与第一间隔不同。

主权项：1.一种半导体器件，包括：衬底，包括第一有源区域和第二有源区域，所述第一有源区域和所述第二有源区域沿第一方向延伸，所述第一有源区域包括彼此间隔开第一间隔的多个第一有源图案，所述第二有源区域包括彼此间隔开第二间隔的多个第二有源图案，所述第二间隔与所述第一间隔不同；器件隔离层，在所述衬底上，所述器件隔离层围绕所述第一有源区域和所述第二有源区域；栅极结构，在所述衬底上，所述栅极结构沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向相交；在所述第一有源区域上的第一源漏区和在所述第二有源区域上的第二源漏区，分别地，所述第一源漏区在所述栅极结构的相对侧上，并且所述第二源漏区在所述栅极结构的相对侧上；层间绝缘层，在所述器件隔离层上，所述层间绝缘层覆盖所述栅极结构、所述第一源漏区和所述第二源漏区；第一接触结构和第二接触结构，穿过所述层间绝缘层，所述第一接触结构和所述第二接触结构分别连接到所述第一源漏区和所述第二源漏区；第一导电贯通结构和第二导电贯通结构，分别电连接到所述第一接触结构和所述第二接触结构，所述第一导电贯通结构和所述第二导电贯通结构穿过所述衬底和所述层间绝缘层；电力输送结构，从所述衬底的后表面朝向所述衬底的前表面延伸，所述电力输送结构与所述第一导电贯通结构的底表面和所述第二导电贯通结构的底表面接触；前侧互连结构，在所述衬底的前表面上，所述前侧互连结构包括前侧互连图案；以及后侧互连结构，在所述衬底的后表面上，所述后侧互连结构包括后侧互连图案，其中，所述第一导电贯通结构与所述第一接触结构的下部接触，所述第一导电贯通结构通过所述第一接触结构电连接到所述第一源漏区，以及所述第二导电贯通结构与所述第二接触结构间隔开，所述第二导电贯通结构与所述前侧互连结构接触，并且所述第二导电贯通结构通过所述前侧互连结构电连接到所述第二源漏区。

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