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申请/专利权人：广西云芯半导体科技有限公司
摘要：本发明公开一种GaNHEMT芯片，包括外延层以及设于外延层上的隔绝层，隔绝层内设有间隔设置的若干栅极延伸部、若干漏极延伸部以及若干源极延伸部，栅极延伸部的上表面、漏极延伸部的上表面以及源极延伸部的上表面自隔绝层的上表面露出；漏极延伸部上设有向上延伸的至少一个绝缘凸起部，每个漏极延伸部以及至少一个绝缘凸起部上均覆盖有漏极导线部以形成若干漏极导线部，每个源极延伸部上均覆盖有源极导线部以形成若干源极导线部，每个栅极延伸部上均覆盖有栅极导线部以形成若干栅极导线部。本发明通过在漏极延伸部上设有向上延伸的至少一个绝缘凸起部并在漏极延伸部和绝缘凸起部上覆盖漏极导线部，从而加长漏极导线部的长度，使得GaNHEMT芯片能承受更大的电流。
主权项：1.一种GaNHEMT芯片，其特征在于，包括外延层以及设于所述外延层上的隔绝层，所述隔绝层内设有间隔设置的若干栅极延伸部、若干漏极延伸部以及若干源极延伸部，所述栅极延伸部的上表面、所述漏极延伸部的上表面以及所述源极延伸部的上表面自所述隔绝层的上表面露出；所述漏极延伸部上设有向上延伸的至少一个绝缘凸起部，每个所述漏极延伸部以及至少一个绝缘凸起部上均覆盖有漏极导线部，每个源极延伸部上均覆盖有源极导线部，每个所述栅极延伸部上均覆盖有栅极导线部，所述隔绝层上设有保护层且所述保护层遮覆所述漏极导线部、所述源极导线部以及所述栅极导线部。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广西云芯半导体科技有限公司 GaN HEMT芯片
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