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申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：本发明提供低功函数凹槽阳极YAlNGaN异质结肖特基二极管，涉及电力电子器件技术领域。其中，该肖特基二极管包括：衬底层；AlN缓冲层，形成于衬底层上；GaN沟道层，形成于AlN缓冲层上；AlN插入层，形成于GaN沟道层上；YxAl1‑xN势垒层，形成于AlN插入层上；SiN帽层，形成于YxAl1‑xN势垒层上；阴极，形成于SiN帽层的边缘区域上；凹槽阳极，形成于远离阴极的SiN帽层的边缘区域上，且凹槽阳极从SiN帽层延伸至GaN沟道层内。低功函数凹槽阳极YAlNGaN异质结肖特基二极管的生产成本较低，有效提高了低功函数凹槽阳极YAlNGaN异质结肖特基二极管的高频特性、耐压特性和可靠性。
主权项：1.一种低功函数凹槽阳极YAlNGaN异质结肖特基二极管，其特征在于，所述低功函数凹槽阳极YAlNGaN异质结肖特基二极管包括：衬底层；AlN缓冲层，形成于所述衬底层上；GaN沟道层，形成于所述AlN缓冲层上；AlN插入层，形成于所述GaN沟道层上；YxAl1-xN势垒层，形成于所述AlN插入层上；SiN帽层，形成于所述YxAl1-xN势垒层上；阴极，形成于所述SiN帽层的边缘区域上；凹槽阳极，形成于远离所述阴极的所述SiN帽层的边缘区域上，且所述凹槽阳极从所述SiN帽层延伸至所述GaN沟道层内。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 低功函数凹槽阳极YAlN/GaN异质结肖特基二极管
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