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申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：本发明涉及YAlNGaN高电子迁移率晶体管及其制作方法，主要解决现有氮化物微波功率器件工作频率低及材料位错密度高的问题。其自下而上包括衬底、成核层、GaN沟道层、AlN插入层和YAlN势垒层，该插入层与势垒层之间设有InAlN帽层；该势垒层上部依次设有势垒保护层和绝缘栅介质层，该InAlN帽层至绝缘栅介质层的两侧设有制作源、漏电极的欧姆接触区。该结构中的成核层、GaN沟道层、AlN插入层和InAlN帽层采用MOCVD生长；YAlN势垒层和势垒保护层采用MBE生长。本发明材料极化强度大，器件工作频率高，可靠性高，制作工艺简单且一致性高，可用于高频微波功率放大器和微波毫米波集成电路。
主权项：1.一种YAlNGaN高电子迁移率晶体管，自下而上，包括衬底1、成核层2、GaN沟道层3、AlN插入层4、势垒层6，其特征在于：所述AlN插入层4与势垒层6之间增设有In组分x在14％-20％之间，厚度为1nm-10nm的InxAl1-xN帽层5；所述势垒层6的上部依次设有势垒保护层7和绝缘栅介质层8，该绝缘栅介质层8上设置栅电极；所述InxAl1-xN帽层5至绝缘栅介质层8两侧均为欧姆接触区，欧姆接触区上分别设置源、漏电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 YAlN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法
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