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申请/专利权人：江苏能华微电子科技发展有限公司
摘要：本发明属于高电子迁移率晶体管器件技术领域，具体涉及一种常关型高电子迁移率晶体管及其制备方法。本发明提供的常关型高电子迁移率晶体管中，势垒层注入有非电活性物质离子，非电活性物质离子的注入区域与所述栅极在所述势垒层上的正投影区域重合，所述非电活性物质离子包括氮离子和或惰性气体离子。本发明的势垒层和沟道层之间具有更稳定的Vth以及原始未蚀刻和未损坏的2DEG层。本发明通过向势垒层中注入非电活性物质离子，将势垒层转变成绝缘体，从而使自然形成的2DEG层失效，而相较于引入电活性元素（如氯或氟原子），本发明不存在由于电荷散射导致的迁移率下降和由于氯或氟离子在栅极偏压下移动导致的Vth不稳定的缺陷。
主权项：1.一种常关型高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括衬底层；设置在所述衬底层上表面的缓冲层；设置在所述缓冲层上表面的沟道层；设置在所述沟道层部分上表面的源极、部分上表面的漏极和部分上表面的势垒层；设置在所述势垒层部分上表面的栅极；所述势垒层注入有非电活性物质离子，所述势垒层中非电活性物质离子的注入区域与所述栅极在所述势垒层上的正投影区域重合，所述非电活性物质离子为Ar离子；所述势垒层中非电活性物质离子的注入区域的厚度与势垒层的厚度相等，所述非电活性物质离子的注入密度为1E13~1E15cm-2。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏能华微电子科技发展有限公司 一种常关型高电子迁移率晶体管及其制备方法
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