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申请/专利权人：意法半导体国际公司
摘要：本公开涉及电子装置。一种电子装置包括：半导体主体，具有第一导电性、第一掺杂值和正面；有源区，被配置成在使用中容纳电子装置的导电沟道；边缘区域，围绕有源区并与有源区在结构上连续，该边缘区域至少部分容纳边缘终止区域，边缘终止区域具有与第一导电性相反的第二导电性，并且边缘终止区域从正面开始沿与正面正交的方向延伸进入半导体主体直至具有第一值的最大深度；电流扩散层，在有源区中延伸且部分地在边缘区域中延伸，面向正面，其中电流扩散层具有第一导电性和大于第一掺杂值的第二掺杂值；其中，电流扩散层在边缘区域中从正面开始具有深度，该深度在第二深度值和第三深度值之间可变，第二深度值大于边缘终止区域的第一深度值，并且第三深度值小于边缘终止区域的第一深度值，并且其中电流扩散层在边缘终止区域的至少一部分处具有第三深度值。
主权项：1.一种电子装置，其特征在于，包括：半导体主体，具有第一导电性、第一掺杂值和正面；有源区，被配置成在使用中容纳电子装置的导电沟道；边缘区域，围绕有源区并与有源区在结构上连续，该边缘区域至少部分容纳边缘终止区域，所述边缘终止区域具有与第一导电性相反的第二导电性，并且所述边缘终止区域从所述正面开始沿与所述正面正交的方向延伸进入半导体主体直至具有第一值的最大深度；电流扩散层，在有源区中延伸且部分地在边缘区域中延伸，面向所述正面，其中所述电流扩散层具有第一导电性和大于第一掺杂值的第二掺杂值；其中，电流扩散层在边缘区域中从所述正面开始具有深度，该深度在第二深度值和第三深度值之间可变，第二深度值大于边缘终止区域的第一深度值，并且第三深度值小于边缘终止区域的第一深度值，并且其中所述电流扩散层在边缘终止区域的至少一部分处具有所述第三深度值。
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