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申请/专利权人：西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学
摘要：本发明公开了一种单片集成的PGaN栅控的Cascode结构氮化镓HEMT，包括：外延结构，包括衬底以及位于其表面的缓冲层、沟道层、势垒层和位于势垒层远离衬底一侧的PGaN层及TiN金属层，PGaN层位于势垒层表面且位于PGaN栅极区域内，TiN金属层位于PGaN层的表面；PGaN栅极区域的栅极金属，位于TiN金属层远离衬底一侧的表面；肖特基栅极区域的栅极金属，位于势垒层远离衬底一侧的表面；位于源极区域和漏极区域的欧姆金属；位于源极区域和漏极区域中欧姆金属表面的第一金属层，且源极区域与肖特基栅极区域通过该第一金属层连接，形成级联的PGaN栅E‑modeHEMT和肖特基栅D‑modeHEMT。
主权项：1.一种单片集成的PGaN栅控的Cascode结构氮化镓HEMT，其特征在于，包括：外延结构，所述外延结构包括衬底以及位于所述衬底表面的缓冲层、沟道层、势垒层、位于势垒层远离衬底一侧的PGaN层和TiN金属层，其中，PGaN层位于所述势垒层的表面且位于PGaN栅极区域内，TiN金属层位于所述PGaN层的表面；PGaN栅极区域的栅极金属，位于所述TiN金属层远离衬底一侧的表面；肖特基栅极区域的栅极金属，位于所述势垒层远离衬底一侧的表面；位于源极区域和漏极区域的欧姆金属；位于源极区域和漏极区域中欧姆金属表面的第一金属层，且所述源极区域与所述肖特基栅极区域通过该第一金属层连接，形成级联的PGaN栅E-modeHEMT和肖特基栅D-modeHEMT。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学广州研究院 西安电子科技大学 单片集成的PGaN栅控的Cascode结构氮化镓HEMT及其制备方法
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