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申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：本发明公开了一种具有栅漏间p‑GaN埋层的凹槽MIS增强型HEMT及其制备方法，属于半导体技术领域，该凹槽MIS增强型HEMT包括：衬底；依次位于衬底表面的AlN成核层、第一GaN缓冲层、栅漏间p‑GaN埋层、第二GaN缓冲层、GaN层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层包括凹槽；位于凹槽内的p‑GaN层；依次位于p‑GaN层表面的栅介质层和栅电极，以及相对设置于AlGaN势垒层表面的源电极和漏电极；在第一方向上，栅漏间p‑GaN埋层的至少部分正投影位于栅、漏电极的正投影之间。栅漏间p‑GaN埋层能够缓解整个栅漏之间的电场分布，电场缓解效果更优，有利于增大器件的击穿电压，并减小器件的泄露电流。
主权项：1.一种具有栅漏间p-GaN埋层的凹槽MIS增强型HEMT，其特征在于，包括：衬底；依次位于所述衬底表面的AlN成核层、第一GaN缓冲层、栅漏间p-GaN埋层、第二GaN缓冲层、GaN层和AlGaN势垒层，所述AlGaN势垒层包括凹槽；位于所述凹槽内的p-GaN层；位于所述p-GaN层表面的栅介质层；位于所述栅介质层表面的栅电极，以及相对设置于所述AlGaN势垒层表面的源电极和漏电极；其中，在第一方向上，所述栅漏间p-GaN埋层的至少部分正投影位于所述栅电极的正投影与所述漏电极的正投影之间，所述第一方向为垂直于衬底所在平面的方向。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 具有栅漏间p-GaN埋层的凹槽MIS增强型HEMT及其制备方法
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