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申请/专利权人：厦门国创中心先进电驱动技术创新中心
摘要：本实用新型公开了一种具有老化补偿的SiCMOS驱动电路。所述电路包括中央处理单元、驱动模块、米勒平台检测模块、老化补偿模块和至少一个SiCMOS，及外接的中央处理单元和驱动电源；其中，驱动模块设置于中央处理单元和SiCMOS的栅极之间，驱动SiCMOS；米勒平台检测模块设置于中央处理单元和SiCMOS之间，用于延长SiCMOS的VGS波形的米勒平台时间，采集SiCMOS的VGS波形，并从中读取米勒平台的电压；老化补偿模块设置于驱动电源和驱动模块之间，并和中央处理单元连接，用于升高驱动模块的驱动电压，对SiCMOS进行老化补偿，将SiCMOS的米勒平台电压恢复到老化前的状态。
主权项：1.一种具有老化补偿的SiCMOS驱动电路，其特征在于，包括中央处理单元、驱动模块、米勒平台检测模块、老化补偿模块和至少一个SiCMOS，及外接的中央处理单元和驱动电源；所述驱动模块和所述中央处理单元、所述SiCMOS的栅极连接，用于驱动所述SiCMOS；所述米勒平台检测模块和所述中央处理单元、所述驱动模块和所述SiCMOS连接，用于延长所述SiCMOS的VGS波形的米勒平台时间，采集所述SiCMOS的VGS波形中的米勒平台电压；所述老化补偿模块和所述驱动电源、所述驱动模块、所述中央处理单元连接；所述中央处理单元通过所述米勒平台检测模块，从所述VGS波形中读取所述米勒平台的电压；并用于升高所述驱动模块的驱动电压，对所述SiCMOS进行老化补偿，将所述SiCMOS的米勒平台电压恢复到老化前的状态。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 厦门国创中心先进电驱动技术创新中心 一种具有老化补偿的SiC MOS驱动电路
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