龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：杭州谱析光晶半导体科技有限公司
摘要：本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种降低脉冲电荷影响的MOS半导体器件，包括由若干个MOS元胞构成的PMOSFET结构，所述PMOSFET结构包括漏极、源极以及每个MOS元胞表面嵌设的栅极；单个所述MOS元胞包括有衬底层、扩散层、P阱层以及N阱层，所述P阱层与扩散层之间通过N阱层隔绝；其中，单个所述MOS元胞的沉底层与扩散层之间离子注入形成有三个掺杂N阱层一。本发明通过在扩散层的内部离子注入形成重掺杂N阱层，这样在形成电荷沟道之后可以有效降低沟道起到桥梁作用时的电阻，并且该重掺杂N阱层与扩散层有着更大的接触面积和更小的流入电阻，这样可以极大的降低扩散层与P阱层的导通电阻。
主权项：1.一种降低脉冲电荷影响的MOS半导体器件，其特征在于，包括由若干个MOS元胞构成的PMOSFET结构，所述PMOSFET结构包括漏极1、源极5以及每个MOS元胞表面嵌设的栅极4；单个所述MOS元胞包括有衬底层2、扩散层3、P阱层以及N阱层，所述P阱层与扩散层3之间通过N阱层隔绝；其中，单个所述MOS元胞的沉底层2与扩散层3之间离子注入形成有三个掺杂N阱层一6；所述N阱层包括重掺杂P阱层一8、轻掺杂P阱层一9、重掺杂P阱层二10以及轻掺杂P阱层二15；所述P阱层包括低掺杂N阱层一11、重掺杂N阱层一12、低掺杂N阱层二13、重掺杂N阱层二14以及轻掺杂P阱层二15；所述扩散层3的内部靠近栅极4位置处离子注入形成有重掺杂N阱层一7，其重掺杂N阱层一7与轻掺杂P阱层二15欧姆接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州谱析光晶半导体科技有限公司 一种降低脉冲电荷影响的MOS半导体器件
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号