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申请/专利权人：深圳市阿赛姆电子有限公司
摘要：本实用新型涉及一种集成式MOS结构，包括管体；其中，管体的底端固定连接有多个引脚，管体上设有螺孔且散热面上设有多个沉孔；管体内集成反接保护电路，过压保护电路和第一NMOS管以及栅极保护电路，实现了对第一NMOS管的过压保护，栅极寄生的米勒电容的泄放，以及对外部的被控制设备进行反接保护；其中，管体上的多个引脚用于与电源，控制电路，被控制设备连接；进一步地，还通过多个沉孔与导热硅胶进行大面积接触更佳高效的将热量传递至散热片，以及还可以通过沉头螺丝将散热片固定在管体上，而无需实用螺母；从而实现了集成度高，具有过压保护，反接保护，米勒电容泄放保护，散热效率高，体积小，适用性广泛。
主权项：1.一种集成式MOS结构，包括管体；其特征在于，所述管体的底端固定连接有多个引脚，所述管体上设有螺孔且散热面上设有多个沉孔；所述管体内集成有过压保护电路和第一NMOS管以及栅极保护电路，所述过压保护电路对所述第一NMOS管的源极进行过压保护，所述栅极保护电路对所述第一NMOS管的栅极寄生的米勒电容进行泄放；所述管体内还集成有反接保护电路，所述反接保护电路保护外部的被控制设备不被反向输入电流；所述过压保护电路与外部的电源连接，所述被控制设备与所述过压保护电路连接，所述第一NMOS管与所述过压保护电路连接，所述反接保护电路与所述第一NMOS管连接，所述电源与所述反接保护电路连接；所述栅极保护电路与所述第一NMOS管的栅极连接，所述栅极保护电路还与外部的控制电路连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市阿赛姆电子有限公司 一种集成式MOS结构
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