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申请/专利权人：武汉新芯集成电路股份有限公司
摘要：本发明涉及一种垂直电荷转移光电传感器。所述垂直电荷转移光电传感器中，每个像素区形成有第一源漏区和第二源漏区，形成于层间介质层中的至少一个接触插塞为被相邻两个像素区共用的共享接触插塞，每个共享接触插塞与分别位于相邻两个像素区中的两个第一源漏区电连接，或者与分别位于相邻两个像素区中的两个第二源漏区电连接。所述垂直电荷转移光电传感器利用共享接触插塞连接分别位于相邻两个像素区中的两个第一源漏区或两个第二源漏区，相对于使每个第一源漏区和第二源漏区均独立与接触插塞电连接的方式，有助于降低垂直电荷转移光电传感器的布线难度和制作难度。
主权项：1.一种垂直电荷转移光电传感器，其特征在于，包括：半导体衬底，具有第一导电类型并包括相背的正面和背面；贯穿所述半导体衬底的深沟槽隔离，所述半导体衬底被所述深沟槽隔离限定出多个像素区，每个所述像素区形成有第一源漏区和第二源漏区；形成于每个所述像素区的半导体衬底正面的浅沟槽隔离，所述浅沟槽隔离将相应的所述像素区分隔为感光区和包含所述第一源漏区和第二源漏区的电荷读取区；控制栅，形成于每个所述像素区的所述半导体衬底正面并从所述感光区上横跨至所述电荷读取区上，所述电荷读取区中的所述第一源漏区和所述第二源漏区分别位于相应所述控制栅的两侧；层间介质层，覆盖所述半导体衬底、所述深沟槽隔离、所述浅沟槽隔离以及所述控制栅；以及多个接触插塞，每个所述接触插塞贯穿所述层间介质层并与所述第一源漏区或所述第二源漏区电连接，其中，至少一个所述接触插塞为被相邻两个所述像素区共用的共享接触插塞，每个所述共享接触插塞与分别位于相邻两个所述像素区中的两个所述第一源漏区电连接，或者与分别位于相邻两个所述像素区中的两个所述第二源漏区电连接。
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百度查询： 武汉新芯集成电路股份有限公司 垂直电荷转移光电传感器
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