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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
摘要：本发明提供一种SONOS存储器的栅极刻蚀工艺方法，方法包括：步骤1提供一半导体衬底，SONOS区域形成有第一栅极结构、第一硬掩膜层及第二硬掩膜层，非SONOS区域形成有第二栅极结构、第三硬掩膜层及第四硬掩膜层；步骤2形成第一侧墙，并形成第二侧墙；步骤3去除第二硬掩膜层及第四硬掩膜层；步骤4于通过步骤3形成的半导体结构的表面形成牺牲氧化层及牺牲氮化层；步骤5去除第一硬掩膜层及第三硬掩膜层上方的牺牲氮化层；步骤6去除第一硬掩膜层、第三硬掩膜层及位于第一栅极结构及第二栅极结构侧壁的牺牲氮化层；步骤7去除牺牲氧化层。通过本发明解决了现有的SONOS存储器的整体性能易受到影响的问题。
主权项：1.一种SONOS存储器的栅极刻蚀工艺方法，其特征在于，所述方法包括：步骤1提供一半导体衬底，其包括SONOS区域及非SONOS区域，所述SONOS区域的所述半导体衬底的表面由下至上形成有第一栅极结构、第一硬掩膜层及第二硬掩膜层，所述非SONOS区域的所述半导体衬底的表面由下至上形成有第二栅极结构、所述第三硬掩膜层及所述第四硬掩膜层，其中，所述第一栅极结构包括ONO层及第一多晶硅层，所述第二栅极结构包括隧穿氧化层及第二多晶硅层；步骤2于所述第一多晶硅层、所述第一硬掩膜层及所述第二硬掩膜层的侧壁形成第一侧墙，且所述第一侧墙位于所述ONO层的表面，并于所述第二多晶硅层、所述第三硬掩膜层及所述第四硬掩膜层的侧壁形成第二侧墙，且所述第二侧墙位于所述隧穿氧化层的表面；步骤3去除所述第二硬掩膜层及所述第四硬掩膜层；步骤4于通过步骤3形成的半导体结构的表面形成牺牲氧化层及牺牲氮化层，且所述牺牲氮化层位于所述牺牲氧化层的表面；步骤5去除形成于所述第一硬掩膜层及所述第三硬掩膜层上方的所述牺牲氮化层；步骤6去除所述第一硬掩膜层、第三硬掩膜层及位于所述第一栅极结构及所述第二栅极结构侧壁的所述牺牲氮化层；步骤7去除所述牺牲氧化层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 SONOS存储器的栅极刻蚀工艺方法
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