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用于掩埋特征的套刻测量的电子束优化 

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申请/专利权人:ASML荷兰有限公司

摘要:公开了用于确定由电子束用于套刻测量的一个或多个参数的系统、非暂态计算机可读介质和方法。在一些实施例中,该方法包括基于晶片叠层的多个特性和在晶片叠层上的多个特征处检测到的多个背散射电子BSE产率来确定晶片叠层的套刻测量的获取时间。该方法还包括基于对套刻测量的获取时间的优化来确定包括电子束的着陆能量的一个或多个参数。

主权项:1.一种用于确定由电子束用于套刻测量的一个或多个参数的系统,所述系统包括:控制器,包括被配置为使所述系统执行以下操作的电路系统:基于晶片叠层的多个特性和在所述晶片叠层上的多个特征处检测到的多个背散射电子BSE产率,确定所述晶片叠层的所述套刻测量的获取时间;以及基于对所述套刻测量的所述获取时间的优化,确定包括所述电子束的着陆能量的所述一个或多个参数。

全文数据:

权利要求:

百度查询: ASML荷兰有限公司 用于掩埋特征的套刻测量的电子束优化

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