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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本公开是关于一种套刻误差补偿方法、系统及装置、电子设备以及计算机可读存储介质，涉及半导体生产制造技术领域。该方法包括：确定组合光刻层组，组合光刻层组包括多个目标光刻层；对多个目标光刻层中的初始图形进行曝光处理，得到多层曝光图形，多个目标光刻层中的初始图形均具有相同的对准标识；对多层曝光图形进行套刻精度量测，确定每层曝光图形的套刻量测误差；根据多个套刻量测误差确定下一批次的组合光刻层组对应的图形的误差补偿值，根据误差补偿值进行套刻误差补偿。本公开可以利用具有相同对准标识的多道光刻层进行套刻误差补偿行为一致的特点，优化套刻误差补偿方式，以达到减少套刻误差补偿量测和缩减生产周期的效果。
主权项：1.一种套刻误差补偿方法，其特征在于，包括：确定组合光刻层组，所述组合光刻层组包括多个目标光刻层；对所述多个目标光刻层中的初始图形进行曝光处理，得到多层曝光图形，所述多个目标光刻层中的初始图形均具有相同的对准标识；对所述多层曝光图形进行套刻精度量测，确定每层所述曝光图形的套刻量测误差；根据多个所述套刻量测误差确定下一批次的所述组合光刻层组对应的图形的误差补偿值，根据所述误差补偿值进行套刻误差补偿；其中，确定组合光刻层组，包括：确定半导体结构对应的光刻层集合，基于所述光刻层集合确定多个初始光刻层；获取每个所述初始光刻层中的初始图形；对多个所述初始光刻层的初始图形进行图形分析处理，得到图形分析结果；根据所述图形分析结果确定多个初始对准图形；所述初始对准图形为在对应位置上具有相同对准标识的初始图形；确定多个所述初始对准图形的工艺制程，判断所述工艺制程是否存在结构变化制程；将无结构变化制程的所述初始对准图形所处的初始光刻层作为所述目标光刻层，以根据确定出的多个所述目标光刻层生成所述组合光刻层组。
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权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 套刻误差补偿方法、系统及装置、电子设备和存储介质
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