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申请/专利权人：杭州积海半导体有限公司
摘要：本发明提供一种散射测量方法及散射测量装置，先采用宽波段的红外测量光照射衬底，红外测量光透过衬底的表面照射至待测单元，其中，红外测量光的波长的取值范围为2μm~7.5μm或者25μm~35μm；然后，接收从衬底和待测单元散射的红外测量光，以根据红外测量光获取待测单元的特征参数。由于，红外测量光的波长的取值范围为2μm~7.5μm或者25μm~35μm，因此，红外测量光可以有效的穿透衬底照射至待测单元，使得衬底和待测单元散射的红外测量光能够有效的反映衬底及衬底中的待测单元的深层特征信息，提高了测量衬底内部深层特征的灵敏度，从而能够准确、有效的获取到衬底中的待测单元的特征参数。
主权项：1.一种散射测量方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底中形成有待测单元，所述待测单元贯穿部分厚度的所述衬底，所述衬底上形成有至少一层电介质层，其中，所述待测单元包括至少一个埋入结构，每个所述埋入结构均自所述衬底的表面延伸至所述衬底中，每个所述埋入结构的厚度均为1μm~30μm，且所述电介质层还覆盖所述待测单元中的所述埋入结构，所述埋入结构的材质为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氟化硅、多晶硅和金属中的至少一种，所述衬底的材质为单晶硅；采用宽波段的红外测量光照射所述衬底，所述红外测量光自所述电介质层的表面透过电介质层和所述衬底的表面照射至所述待测单元中的所述埋入结构的底部，其中，所述红外测量光的波长的取值范围为2μm~7.5μm或者25μm~35μm；接收从所述衬底和所述待测单元散射的红外测量光，以根据所述红外测量光获取所述待测单元的特征参数，其中，所述特征参数包括所述埋入结构的直径、宽度、深度和侧壁角度中的至少一种。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州积海半导体有限公司 散射测量方法及散射测量装置
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